来源:半导体
更新时间:2024-04-25 07:04:18 点击:0
大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于做半导体的元素的问题,于是小编就整理了4个相关介绍做半导体的元素的解答,让我们一起看看吧。
p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。
在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。
放射性元素经常被用半导体是因为放射性元素具有独特的物理和化学性质,使其在半导体工业中具有广泛的应用。
首先,放射性元素可以用于制造热敏电阻,这种电阻能够随着温度的变化而改变其电阻值。
其次,放射性元素还可以用于制造光电传感器,这种传感器可以将光信号转化为电信号。
此外,放射性元素还可以用于制造放射性示踪剂,这种示踪剂可以用于追踪物质的运行和变化。总之,放射性元素在半导体工业中的应用与其独特的物理和化学性质密切相关。
N-Negative英文里表示负的意思,在原子里,电子是负电的。,所以n型半导体是自由电子导电的半导体。在硅材料(硅原子的最外电子层为4个电子)中掺入超过4价电子的材料,比如磷(磷原子的最外电子层为5个电子),这样,就会在硅材料中产生非常多的自由电子,从而形成电子电流,即负电。
能,钒元素可以用在半导体。
五氧化二钒是一种宽能带半导体材料,其一维纳米结构表面存在许多与气体选择性作用的活性位点,加之其独特的层状结构,能提供更多的气体通道有利于气体的快速扩散,是一种很具潜力的气敏材料。钒是一种金属元素,元素符号为V,银灰色金属,在元素周期表中属VB族,原子序数23,原子量50.9414,体心立方晶体,常见化合价为+5、+4、+3、+2。钒的熔点很高,为难熔金属,有延展性,质坚硬,无磁性。
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